其他產(chǎn)品及廠家
濾芯完整性測試儀提供多種測試環(huán)境與測試方式，可以對親水性膜、疏水性膜、對稱性膜，非對稱性膜等多種微孔濾膜、濾芯以及過濾器的氣密性、完整性進(jìn)行測試，同時(shí)系統(tǒng)具備歷史數(shù)據(jù)記錄和打印的功能，并且可以按照要求提供上位機(jī)軟件。
更新時(shí)間:2025-08-15
藏 青色冷庫防寒背帶褲，聚酰胺滌綸/棉制面料，折縫式接縫，內(nèi)部襯里為內(nèi)部為dupont填充物，內(nèi)部垂直絎縫間距12到15厘米，從服裝外部看不見接縫， 和服裝同長的雙拉鏈頭拉鏈
更新時(shí)間:2025-08-15
jc506-bm-2型斑馬法檢測儀是依據(jù)中華人民共和國標(biāo)準(zhǔn)gb11614-1999的技術(shù)要求而設(shè)計(jì)制造，用于檢測浮法玻璃的光學(xué)變形角(斑馬角)的測試儀器
更新時(shí)間:2025-08-15
工作環(huán)境應(yīng)清潔，光線較暗，無陽光直射，工作時(shí)室內(nèi)環(huán)境應(yīng)不隨外界環(huán)境變化變化，無灰塵，無烈振動(dòng)。
更新時(shí)間:2025-08-15
bc302流動(dòng)測震儀;軸承狀態(tài)分析和紅外線溫度是基于微處理器的手持式機(jī)器狀態(tài)檢測儀器，具有振動(dòng)測量和評價(jià)、軸承狀態(tài)檢測和評價(jià)功能。流動(dòng)測震儀振動(dòng)檢測、軸承狀態(tài)分析和紅外線溫度測量，測量準(zhǔn)確測量速度≥1.5m/s,存 儲(chǔ)溫度-10℃~60℃, 用于振動(dòng)檢測、軸承狀態(tài)分析和紅外線溫度測量，應(yīng)急救災(zāi)地完整配置.
更新時(shí)間:2025-08-15
xf802-y320數(shù)字雜音計(jì)，主要用于程控交換機(jī)電源，電話加權(quán)雜音電壓的測量。本儀表符合*電信聯(lián)合會(huì)（itu）建議的電話加權(quán)網(wǎng)絡(luò)雜音測試要求，并以*的數(shù)字信號(hào)處理方式來測量雜音
更新時(shí)間:2025-08-15
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀： 主要技術(shù)指標(biāo)：*測量范圍：碳（c）0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫（s）0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間：25~60s可調(diào)，一般35s*分析誤差：碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率：小于2.5kva； *工作原理：電弧燃燒，紅外檢測
更新時(shí)間:2025-08-15
高溫介電溫譜測試系統(tǒng)運(yùn)用三電法設(shè)計(jì)原理測量。并參考美國 a.s.t.m 標(biāo)準(zhǔn)。重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數(shù)的精確度，同時(shí)抗干擾能力更強(qiáng)。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)性能研究等用途。搭配labview系統(tǒng)開發(fā)的huacepro軟件，具備彈性的自定義功能，可進(jìn)行介電溫譜、頻譜、升溫速度、測量參數(shù)等設(shè)置，符合壓電陶瓷與其它新材料測試多樣化的需求。電壓、過電
更新時(shí)間:2025-08-14
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超g
更新時(shí)間:2025-08-14
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-08-14
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-08-14
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-08-14
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-08-14
遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-08-14
cie2.0 3.0 物理層致性測試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie2.0x4 眼圖測試 物理層致性測試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無時(shí)無刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對業(yè)內(nèi)從業(yè)者來說遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie2.0x8 眼圖測試 物理層致性測試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對差分信號(hào)，其中16對petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie1.0x4 眼圖測試 物理層致性測試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來越低，對整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie1.0x8 眼圖測試 物理層致性測試ci總線定義了兩類配置請求，個(gè)是type00h配置請求，另個(gè)是type 01h配置請求。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie1.0x16 眼圖測試 物理層致性測試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie3.0x4 眼圖測試 物理層致性測試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie3.0x8 眼圖測試 物理層致性測試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-08-14
pcie3.0x16 眼圖測試 物理層致性測試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測試才能發(fā)現(xiàn)問題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-08-14
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc 上電時(shí)序測試 電源紋波測試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc 時(shí)鐘測試 數(shù)據(jù)信號(hào)測試電源紋波測試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc 控制信號(hào)測試 控制信號(hào)過沖測試 控制信號(hào)高低電平測試
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試這是個(gè)典型的電源紋波測試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc4 上電時(shí)序測試 電源紋波測試 時(shí)鐘測試 數(shù)據(jù)信號(hào)測試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測電路地上，中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-08-14
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測試 , 電源紋波測試 , 時(shí)鐘測試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測試通俗的來說，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc4 , 復(fù)位測試 , clk測試 , dqs測試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc5 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc5 復(fù)位測試 clk測試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-08-14
emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試 emmc5 復(fù)位測試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-08-14
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測試 , 時(shí)鐘測試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測試 , emmc5 , 上電時(shí)序測試
更新時(shí)間:2025-08-14
相關(guān)產(chǎn)品：clk測試 , dqs測試 , emmc4 , 上電時(shí)序測試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過程。
更新時(shí)間:2025-08-14
相關(guān)產(chǎn)品：clk測試 , dqs測試 , emmc4 , 上電時(shí)序測試 , 電源紋波測試
更新時(shí)間:2025-08-14
電源紋波測試 時(shí)鐘測試 數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試
更新時(shí)間:2025-08-14
數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc5 上電時(shí)序測試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-08-14
數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc5 上電時(shí)序測試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-08-14
clk測試 dqs測試 emmc4 上電時(shí)序測試，眼圖測試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-08-14
數(shù)據(jù)信號(hào)測試 emmc4 復(fù)位測試 clk測試 dqs測試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-08-14
復(fù)位測試 clk測試 dqs測試 emmc4 上電時(shí)序測試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測試過程（bus testing procedure），測試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-08-14
出租agilent usb3.0測試夾具u7242-26401
更新時(shí)間:2025-08-14
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-08-14
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-08-14
最新產(chǎn)品
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- 德國優(yōu)勢供應(yīng)德國 Spieth型號(hào)DSL 15.28夾緊套件 歡迎詢價(jià)-2 2025/8/15 18:08:42
- 德國優(yōu)勢供應(yīng)德國 Spieth型號(hào)DSL 15.28夾緊套件 歡迎詢價(jià)-1 2025/8/15 18:08:36
- 德國優(yōu)勢供應(yīng)德國 Spieth型號(hào)DSL 15.28夾緊套件 歡迎詢價(jià) 2025/8/15 18:08:25
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- 德國代理SITEMA品牌工件夾具/制動(dòng)器原廠進(jìn)口-希而科優(yōu)勢供應(yīng) 2025/8/15 17:42:00
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- 進(jìn)口德國代理SITEMA品牌工件夾具/制動(dòng)器-希而科優(yōu)勢供應(yīng) 2025/8/15 17:41:28
- LANDEFELD逆流閥USV12-8 2025/8/15 17:40:28
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- 阻旋式物位開關(guān) 2025/8/15 17:27:57
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- KYOWA泵T-50KP 2025/8/15 17:26:54
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- 阻旋式物位開關(guān) 2025/8/15 17:25:34
- 阻旋式物位開關(guān) 2025/8/15 17:24:49
- 雷達(dá)物位計(jì) 2025/8/15 17:24:14
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