深硅刻蝕設(shè)備

1. 產(chǎn)品概述：

RIE-802BCT是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。該高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高長(zhǎng)寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時(shí)保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。 

2. 設(shè)備應(yīng)用：

MEMS的制造（加速度傳感器、陀螺傳感器、壓力傳感器、執(zhí)行器等）。噴墨打印頭加工、通過TSV形成通硅。生產(chǎn)功率器件(超結(jié)MOSFET)、等離子切割。

3. 設(shè)備特點(diǎn)：

RIE-802BCT 具有多項(xiàng)顯著的性能優(yōu)勢(shì)。先，它能夠進(jìn)行高長(zhǎng)寬比加工（超過 100），這對(duì)于需要精細(xì)刻蝕的深硅工藝來說至關(guān)重要。獨(dú)特的等離子體發(fā)生器和反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，在保持垂直蝕刻形狀的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高寬比加工，能夠滿足諸如 MEMS 制造、噴墨打印頭加工、通硅形成以及功率器件生產(chǎn)等多種應(yīng)用的需求。其次，通過高速切換氣體，在保持蝕刻速度的同時(shí)，可以減少扇貝，從而提高刻蝕的精度和質(zhì)量。例如，在 MEMS 的制造中，加速度傳感器、陀螺傳感器、壓力傳感器和執(zhí)行器等的制造都對(duì)刻蝕的精度和形狀有高的要求，RIE-802BCT 能夠出色地完成這些任務(wù)。

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

產(chǎn)品參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。設(shè)備的反應(yīng)腔體、下電、基板尺寸、RF 電源、Gas 系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等均有特定規(guī)格。

 實(shí)際參數(shù)可能會(huì)因設(shè)備的具體配置和定制需求而有所不同。

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