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PLUTO-WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設計的高性價比ICP等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設計與靈活的配置方案，獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小，業(yè)的機械設計與優(yōu)化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全，且工藝穩(wěn)定重復性佳。
ICP干法刻蝕是一種常見的微納加工技術,其原理是利用高頻電場將氣體離子化,使其形成等離子體,然后將等離子體引入反應室中,利用反應室內(nèi)的化學反應對材料進行腐蝕或沉積。 在ICP干法刻蝕中,高頻電場的作用是將氣體分子電離,形成電子和離子。離子在電場的作用下加速運動,并與反應室內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞,進而形成等離子體。等離子體具有高溫、高能量的特性,可以對材料進行高效的加工。 ICP干法刻蝕的特點是能夠實現(xiàn)高精度、高速度和高均勻度的刻蝕,且對材料的損傷較小,常用于微電子器件制造、光學器件加工等域。但需要注意的是,在使用ICP干法刻蝕時,應選擇合適的氣體、功率和反應室溫度等參數(shù),以避免對材料造成負面影響。
ICP等離子干法刻蝕機產(chǎn)品特點：
● 4/6/8英寸兼容，單片晶圓真空傳輸系統(tǒng)
● 低成本高可靠，適合研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)
● 設備結構簡單，外形小
● 操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕
● 優(yōu)異的刻蝕均勻性，刻蝕速率快
●滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統(tǒng)
● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小
● 斷面輪廓可控性高，刻蝕表面平整光滑
ICP等離子干法刻蝕機技術參數(shù)：
晶圓尺寸：4/6/8英寸兼容
適用工藝：等離子體刻蝕
適用材料：SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy，etc.
適用域：化合物半導體，MEMS、功率器件、科研等等域。
關鍵詞：等離子刻蝕機 電感耦合刻蝕
等離子清洗機 方形 等離子表面處理機
PLUTO-F型等離子體表面處理系統(tǒng)是一款功能強大的桌面型表面等離子體設備，非常適合于高校、科學研究所和企業(yè)實驗室，或者小批量生產(chǎn)，需要低成本運作且高效處理的企業(yè)。它具備等離子設備幾乎所有的功能，具有 更多詳細CCP等離子刻蝕機/科研型干法刻蝕機
PLUTO-WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設計的高性價比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設計與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小 更多詳細等離子去膠機
PLUTO-MD使用性能出色的組件和軟件，可對工藝參數(shù)進行精確控制。它的工藝監(jiān)測和數(shù)據(jù)采集軟件可實現(xiàn)嚴格的質(zhì)量控制。該技術已經(jīng)成功的應用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學器件、光電、EMS/MOEM 更多詳細等離子表面處理機/等離子清洗機/等離子去膠機
真空等離子清洗機，它是利用能量轉換技術，在一定真空負壓的狀態(tài)下，以電能將氣體轉化為活性極高的氣體等離子體，氣體等離子體能輕柔沖刷固體樣品表面，引起分子結構的改變，從而達到對樣品表面有機污染物進行超清洗 更多詳細
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