美NANO-MASTER IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)：

NIE-4000  獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng)

NIE-3500 緊湊型獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng)

NIR-4000 獨(dú)立式 IBE / RIE 雙刻蝕系統(tǒng)

NIE-3000 臺(tái)式 IBE 刻蝕系統(tǒng)

NANO-MASTER那諾-馬斯特的IBM離子銑系統(tǒng)或IBE離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)不同的應(yīng)用而按不同的配置進(jìn)行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應(yīng)用。用于離子銑系統(tǒng)的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。
 
NANO-MASTER那諾-馬斯特技術(shù)已經(jīng)展示了IBM離子銑系統(tǒng)或IBE離子束刻蝕系統(tǒng)可以把基片溫度保持在50°C以內(nèi)的能力。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對(duì)側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。
 
不同的選配項(xiàng)可以用于不同的網(wǎng)格配置以及中和器。濺射選配項(xiàng)可以支持對(duì)新刻蝕金屬表面的涂覆，以防氧化。此外，還可以選配單晶圓自動(dòng)上下片功能。該系列IBM離子銑系統(tǒng)或IBE離子束刻蝕系統(tǒng)可以配置RF ICP離子源，升為RIBE反應(yīng)離子束刻蝕系統(tǒng)。

NANO-MASTER那諾-馬斯特的IBM離子銑系統(tǒng)或IBE離子束刻蝕系統(tǒng)的型號(hào)包含NIE-3000型的臺(tái)式系統(tǒng)，NIE-3500型的緊湊型立柜式系統(tǒng)，可支持樣品臺(tái)的傾斜和冷卻，NIE-4000型的立柜式系統(tǒng)，可支持IBE和RIBE的快速刻蝕。

特點(diǎn)：

** 優(yōu)化的14”立方的電拋光不銹鋼腔體
** 水冷±90°自動(dòng)傾斜旋轉(zhuǎn)基片夾具
** 帶不銹鋼氣體管路及氣動(dòng)截止閥的MFC
** 直流離子源1cm-16cm
** RF ICP離子源大到16cm
** 6”基片的刻蝕均勻度±1.2%
** 其它任何材質(zhì)的襯底刻蝕
** 能夠控制基片溫度在50°C以內(nèi)
** 26”x44”占地面積的不銹鋼柜體，非常適用于百超凈間
** 基于計(jì)算機(jī)的全自動(dòng)工藝控制，菜單驅(qū)動(dòng)
** LabVIEW友好用戶界面
** EMO和安全互鎖

選配：

** 光譜終點(diǎn)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
** 背氦冷卻
** 21”立方的電拋光不銹鋼腔體
** 單片自動(dòng)及Cassette-to-Cassette自動(dòng)
** 1200L/Sec渦輪分子泵
** 冷泵配置
** 增加MFC用于反應(yīng)氣體實(shí)現(xiàn)RIBE
** 柵格式RFICP離子源
** 中空陰或燈絲中和器
** 濺射源用于鈍化層沉積

應(yīng)用：

** III-V族光學(xué)元件
** 激光光柵
** 高深寬比的光子晶體刻蝕
** SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
** 帶斜坡的光柵刻蝕