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半導(dǎo)體加工 | 衍射光學(xué)元件 超透鏡 衍射光柵 微透鏡陣列
如，微/納制造與微/納測量技術(shù)現(xiàn)已廣泛的應(yīng)用于信息業(yè)、工業(yè)制造、生物與醫(yī)療科學(xué)、航空航天及環(huán)境科學(xué)等各個域，對于軍用和民用各個域的發(fā)展起著舉足輕重的作用。為此，我們上線微納加工打樣驗證服務(wù)，以求幫助客戶快實現(xiàn)產(chǎn)品驗證。
實驗室平臺擁有設(shè)備等共計200余臺，其中主要設(shè)備（40余臺）包括：
·圖形化設(shè)備
電子束曝光、激光直寫、臺式接觸式光刻機(jī)、桌面式光刻機(jī)等
·薄膜沉積設(shè)備
ICP-PECVD、LPCVD、磁控濺射、電子束蒸發(fā)鍍膜、PE-ALD、DLC薄膜沉積等、電鍍 （Au、Ag、Cu、Ni、Sn等）
·刻蝕設(shè)備
ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蝕、XeF2表硅刻蝕機(jī)、HF氣相刻蝕等干法刻蝕設(shè)備和滿足體硅、介質(zhì)膜、金屬氧化物、金屬等的濕法刻蝕設(shè)備以及相配套的二氧化碳超臨界釋放設(shè)備
·表征和測試設(shè)備
AFM、臺階儀、Raman光譜、SEM、FIB、共聚焦顯微鏡、白光干涉儀、紅外熱成像儀、FEMTO—TOOLS微納力學(xué)測試儀、超高速相機(jī)、3D多普勒激光測振儀、DC／RF探針臺（60GHZ）、網(wǎng)絡(luò)分析儀（60GHz）、半導(dǎo)體分析儀、阻抗分析儀以及高精度電學(xué)原表等
·器件后道封裝設(shè)備
晶圓減薄、CMP拋光、晶圓鍵合、貼片機(jī)、劃片機(jī)、打線機(jī)、固晶機(jī)、激光焊接機(jī)等團(tuán)隊自主研發(fā)的加工設(shè)備，封測設(shè)備。
平臺技術(shù)能力
·工藝整合及平臺能力
—導(dǎo)電DLC膜層（超滑副，導(dǎo)電超硬膜層等）
—AIN／PZT薄膜工藝（壓電驅(qū)動材料）
—大尺寸高定向碳材料生長和器件加工工藝
—鍵合：陽鍵合、玻璃焊料鍵合、共晶鍵合（AIGe）、擴(kuò)散鍵合工藝
—氣氛或真空封裝、Reseal
—研磨減薄和原子拋光工藝
—硅基全濕法微納加工工藝—柔性襯底微納器件加工
·制造與封測能力
—硅通孔（TSV）玻璃通孔（TGV）
—壓力／氣體／紅外／濕度傳感器
—微流控芯片加工和相關(guān)測試
一超滑射頻／慣性器件加工能力
—Die的全封裝能力
| 應(yīng)用類別 | 設(shè)備名稱 | 設(shè)備型號 | 工藝參數(shù) |
| 鍍膜 | 低壓力化學(xué)氣相沉積(LPCVD) | HORIS L6471-1 | 可沉積SIN，TEOS，poly等薄 膜 1-50片/爐 |
| 熱氧化 | 爐管熱氧化 | ||
| 退火 | 快速退火爐RTP | Annealsys AS-One 150 | 高溫度到1500℃, 升溫速率 大200℃/s |
| FIB加工 | 聚焦離子束 FIB | Thermo Fisher Scios 2 HiVac | |
| TEM樣品制備 | |||
| SEM形貌觀測 | 場發(fā)射環(huán)境掃描電鏡ESEM | Thermo Fisher Quattro S | |
| SEM能譜分析 | |||
| 電子束蒸發(fā)鍍膜-金屬 | 電子束蒸發(fā) | FU-20PEB-950 | 蒸鍍金屬薄膜、可做lift-off工藝鍍膜、8寸基片向下兼容 |
| 電子束蒸發(fā)鍍膜-介質(zhì) | 電子束蒸發(fā) | FU-12PEB | 蒸鍍介質(zhì)薄膜一爐可鍍10片四寸基片 |
| 磁控濺射鍍膜-金屬 | 磁控濺射系統(tǒng) | FSE-BSLS-RD-6inch | 濺射金屬薄膜、6寸基片 |
| 原子層沉積 | 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | ICPALD-S200 | 當(dāng)以Al2O3為主 |
| DLC鍍膜 | 類金剛石薄膜化學(xué)沉積系統(tǒng) | CNT-DLC-CL200 | |
| 干法刻蝕 | 干法刻蝕機(jī) | 北方華創(chuàng) | 硅Bosch和超低溫刻蝕、SiO2與石英深刻蝕，8英以下 |
| IBE刻蝕 | 離子束刻蝕系統(tǒng)(IBE) | AE4 | 三維結(jié)構(gòu)材料刻蝕，刻蝕陡直度優(yōu)于85度，刻蝕精度10nm |
| 等離子體去膠 | 微波等離子體去膠機(jī) | Alpha Plasma | |
| 紫外光刻 | 紫外光刻機(jī) | SUSS MA6BA6GEN4 | 對準(zhǔn)精度：±0.5um，分辨率600nm |
| 電鍍 | 電鍍機(jī) | WPS-200MT | 鍍Cu、鍍Au、鍍鎳/鎳合金 |
| 臨界干燥 | 超臨界點干燥儀 | Automegasamdri-915B | |
| 劃片 | 切割機(jī)劃片機(jī) | Disco D323 | |
| 晶圓鍵合 | 晶圓鍵合機(jī) | SUSS MicroTec SB6Gen2 | 陽鍵合 |
| AFM測試 | 高分辨原子力顯微鏡 | Oxford Cypher ES | |
| 原子力顯微鏡 | Park Systems NX20 | ||
| 電子束光刻 | 電子束光刻機(jī) | Elionix ELS-F125G8 | 不含勻膠等費用，材料費根據(jù)用膠類型另計 |
我們提供快速MEMS器件 / 微納米結(jié)構(gòu)加工設(shè)計服務(wù), 歡迎留言咨詢。咨詢電話：
關(guān)鍵詞：微納加工外協(xié) 光電器件加工 MEMS加工 干法刻蝕加工 離子束加工 紫外光刻加工 電鍍加工
半導(dǎo)體微納線路刻蝕金屬鍍膜掩膜板光刻加工
平臺擁有光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、表征測試設(shè)備、器件后道封裝設(shè)備以及自主研發(fā)的超滑實驗設(shè)備等共計200余臺套，其中主要設(shè)備40余臺�；谝延性O(shè)備，對外提供工藝整合、共同工藝開發(fā)等技術(shù)服務(wù)。 更多詳細(xì)MEMS器件刻蝕外協(xié)加工代工|金屬\散熱微結(jié)構(gòu)\射頻器件\慣性傳感器
工藝整合及平臺能力
—導(dǎo)電DLC膜層（超滑副，導(dǎo)電超硬膜層等）
—AIN／PZT薄膜工藝（壓電驅(qū)動材料）
—大尺寸高定向碳材料生長和器件加工工藝
—鍵合 更多詳細(xì)飛熒光上轉(zhuǎn)換系統(tǒng) 超快熒光上轉(zhuǎn)換光譜系統(tǒng)
時間分辨熒光光譜主要有三種典型的測量技術(shù)，分別是上轉(zhuǎn)換方法，直接測量法和關(guān)聯(lián)光譜法。直接測量法通常采用條紋相機(jī)來測量熒光信號，而且二維的條紋相機(jī)還可以同時獲得頻域分辨的信息；關(guān)聯(lián)光譜法指采用兩束脈沖光 更多詳細(xì)納/微瞬態(tài)吸收光譜系統(tǒng) 泵浦瞬態(tài)吸收光譜測量儀
應(yīng)用于材料或生物體系受光激發(fā)后納及微量的光化學(xué)反應(yīng)機(jī)理研究，例如三重態(tài)內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移、能量轉(zhuǎn)移等過程、有機(jī)太陽能電池器件光物理過程以及光催化、分子動力學(xué)等。 更多詳細(xì)
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